SVT044R5NT
N沟道,电流:178A,耐压:40V
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- 描述
- SVT044R5NT/D/L5是一款采用低电压MOS（LVMOS）技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源（UPS）和逆变器系统的电源管理领域
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVT044R5NT
- 商品编号
- C2761793
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.871克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 178A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V；4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.603nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 401pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 542pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种场合。 SO - 8通过定制引线框架进行了改进，具有更好的热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
~~- 超低导通电阻-双N和P沟道MOSFET-表面贴装-全雪崩额定-无铅