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STP110N7F6
1个N沟道 耐压:68V 电流:110A
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- 描述
- 该器件是一款采用具备新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均展现出极低的导通电阻RDS(on)。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP110N7F6
- 商品编号
- C2761799
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-静电放电保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器