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SVF18N50PN

N沟道,电流:18A,耐压:500V

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描述: SVF18N50F/T/PN/FJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
品牌名称: SILAN(士兰微)
商品型号: SVF18N50PN
商品编号: C2761790
商品封装: TO-3P
包装方式: 管装
商品毛重: 7.223克(g)

商品参数

商品概述

SVF18N50F/T/PN/FJ是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

商品特性

18A、500V，RDS(on)（典型值）= 0.26 Ω @ VGS = 10 V
低栅极电荷
低Crss
快速开关
改善的dv/dt能力

应用领域

AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	260mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	240W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	38nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.32nF
	反向传输电容(Crss)	7pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	282pF