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SVS20N60FJD2
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVS20N60FJD2
- 商品编号
- C2761792
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.642克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.174nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
N沟道增强型高压功率MOSFET采用DP MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
商品特性
- 20A, 600V, RDS(on)(典型值)=0.16Ω@VGS=10V
- 创新高压技术
- 低栅极电荷
- 定期额定雪崩
- 较强dv/dt能力
- 高电流峰值
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