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SVDZ24NT
N沟道,电流:17A,耐压:55V
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- 描述
- SVDZ24NT是一款采用矽力杰新型平面VDMOS工艺制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于电子镇流器、低功率开关电源
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVDZ24NT
- 商品编号
- C2761789
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
这款 MOSFET 旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅,完全符合 RoHS 标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电机控制-电源管理功能-背光照明