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SVD9Z24NT
P沟道,电流:-12A,耐压:-55V
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- 描述
- SVD9Z24NT是一款P沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰平面VDMOS工艺制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于推挽放大器、高端开关电路、CMOS功率放大器
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVD9Z24NT
- 商品编号
- C2761788
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 447pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 2.0 S（典型值）
- 低泄漏电流：IDSS = 100 μA（最大值）（VDS = 60 V）
- 增强型模式：Vth = 0.8 至 2.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
应用领域
- 直流-直流转换器-继电器驱动-电机驱动