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SVD1055SATR
N/P沟道增强型场效应管 N沟道+P沟道 耐压:55V 电流:17A
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- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVD1055SATR
- 商品编号
- C2761105
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
SVD1055SA N/P沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用低压平面VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于电子镇流器,低功率开关电源。
商品特性
- 低栅极电荷量
- 低反向传输电容
- 开关速度快
- 提升了dv/dt能力
应用领域
- 电子镇流器
- 低功率开关电源