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WSD50P10DN56
P沟道MOSFET,电流:-34A,耐压:-100V 停产
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- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD50P10DN56
- 商品编号
- C2758436
- 商品封装
- PDFN-8(5.9x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.207nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 268pF |
商品概述
WSP4606A 是具有极高单元密度的高性能沟槽 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP4606A 符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 dv/dt 效应抑制能力
- 100% 雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理-DC-DC 转换器-负载开关