温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HY3210NA2P
N沟道增强型MOSFET,电流:120A,耐压:100V 停产
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY3210NA2P
- 商品编号
- C2687412
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 238W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.635nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCEP030N60AGU采用超级沟槽II技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 100V/120A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 6.7 mΩ(典型值)
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-功率开关应用-不间断电源-电机控制