温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG170C03LR1S
互补MOSFET 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:9.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：同步整流器。 无线充电
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG170C03LR1S
- 商品编号
- C2687416
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.231克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- N沟道:Vds = 30 V
- P沟道:Vds = -30 V
- N沟道:9.5 A(Vgs = 10V)
- P沟道:-8A(Vgs = -10V)
- N沟道:12.9 mΩ(Vgs = 10V)
- P沟道:21.6 mΩ(Vgs = -10V)
- N沟道:19.3 mΩ(Vgs = 4.5V)
- P沟道:40.0 mΩ(Vgs = -4.5V)
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 同步整流器
- 无线电源
- H桥电机驱动