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HYG170C03LR1S
互补MOSFET 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:9.5A
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- 描述
- 特性：100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：同步整流器。 无线充电
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG170C03LR1S
- 商品编号
- C2687416
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.231克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 80A
- RDS(ON) = 6.1 mΩ，典型值 @ VGS = 10V
- RDS(ON) = 8.35 mΩ，典型值 @ VGS = 4.5V
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 工作温度达 150°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100% 进行了 ΔVds 测试
应用领域
- 直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流应用