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HYG210P06LQ1C2
P沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 描述
- 特性：-60V/-40A。 RDS(ON) = 20mΩ (typ.)@VGS = -10V。 RDS(ON) = 20mΩ (typ.)@VGS = -4.8V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 DC/DC电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG210P06LQ1C2
- 商品编号
- C2687418
- 商品封装
- PPAK-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.679nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 123pF |
商品概述
NCEP090N85QU采用超级沟槽II技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- -60V/-40A
- RDS(ON) = 20 m Ω(典型值),VGS = -10 V
- RDS(ON) = 26 m Ω(典型值),VGS = -4.5 V
- 100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-开关应用-DC/DC电源管理-电池保护
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