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HY029N10B6
N沟道,电流:280A,耐压:100V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY029N10B6
- 商品编号
- C2687419
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 405W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 100V/280A
- RDS(ON) = 2.3 mΩ(典型值)@VGS=10V
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
-无刷电机驱动-开关应用-电动助力转向