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HYG065N15NS1P
N沟道增强型MOSFET,电流:165A,耐压:150V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG065N15NS1P
- 商品编号
- C2687415
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 165A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.646nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CJAC110SN10A采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 负载开关
- 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)
- 符合无铅产品要求
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）和通用应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源（UPS）
- 电源管理