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HY3410NA2P
N沟道增强型MOSFET,电流:140A,耐压:100V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY3410NA2P
- 商品编号
- C2687413
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 288W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.835nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 294pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 426pF |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可实现最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- VDS = 85 V，ID = 90 A
- RDS(ON)=4.8mΩ，典型值@ VGS = 10 V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 工作温度可达 150°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 经非钳位感性开关（UIS）测试！
- 100% 经 ΔVds 测试！
应用领域
- DC/DC 转换器
- 适用于高频开关和同步整流