温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP45N10F7
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
- 描述
- N沟道100 V、0.013 Ohm典型值、45 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP45N10F7
- 商品编号
- C2682589
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数（FoM）
- 低Crss/Css比，具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用