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STD26P3LLH6
P沟道,电流:12A,耐压:30V
- 描述
- P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、12 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD26P3LLH6
- 商品编号
- C2682597
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.554克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
4410采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on) 和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- @ VGS = 10 V
- RDS(on) * Qg为行业标杆
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
- LCC转换器、谐振转换器
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