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STB28N60DM2
N沟道,电流:21A,耐压:650V
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- 描述
- N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB28N60DM2
- 商品编号
- C2682599
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用
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