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STH310N10F7-2
N通道,电流:180A,耐压:100V
- 描述
- N沟道100 V、1.9 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH310N10F7-2
- 商品编号
- C2682602
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.983克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 315W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC | |
| 输入电容(Ciss) | 12.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 表面贴装封装
- 低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 静电放电（ESD）保护
- 与TPM2009EP3互补
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换