- 引脚图
- 焊盘图
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STGW60H60DLFB
STGW60H60DLFB
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- 描述
- 600 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW60H60DLFB
- 商品编号
- C2682594
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 306nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.792nF | |
| 输出电容(Coes) | 262pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 158pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 160ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 626uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅和场截止结构开发的IGBT，属于新的HB系列IGBT，在导通和开关损耗之间达到平衡，以最大化任何频率转换器的效率。此外，略微正的V_CE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更安全。
商品特性
- 最大结温：T_J=175℃
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- V_CE(sat)=1.6V（典型值@Ic=60A）
- 参数分布紧密
- 安全并联
- 低热阻
- 低Vf软恢复共封装二极管
- 无铅封装
应用领域
- 感应加热
- 微波炉
- 谐振转换器