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HESD7504MUTAG
单向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 此款Uni单向保护器集成了四个独立通道，每个通道耐压3.3V，具备4A峰值电流吸收能力，及0.6pF低结电容，专为高密度电路设计。它能有效阻断反向电压，同时确保信号快速传输，为精密电子设备提供精巧而强大的保护解决方案。
- 商品型号
- HESD7504MUTAG
- 商品编号
- C25503733
- 商品封装
- DFN2510-10L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 击穿电压(VBR) | 5.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 四路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.4pF；0.6pF |
商品概述
HESD7504MUTAG是一款4通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间集成了一个齐纳二极管。在典型应用中，负轨引脚（指定为GND）与系统地相连。正ESD电流通过ESD二极管和齐纳二极管导向地，正ESD电压被钳位到齐纳电压。封装形式为DFN2510 - 10L。
商品特性
- 4通道ESD保护
- 提供符合IEC61000 - 4 - 2 4级的ESD保护
- ±15kV空气放电
- ±10kV接触放电
- 通道I/O到GND电容：最大0.55pF
- 通道I/O到I/O电容：最大0.6pF
- 低钳位电压
- 低工作电压
- 改进的齐纳结构
- 优化封装，便于高速数据线PCB布局
- 符合RoHS标准且无卤