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HPJE5UFN10A-AU

单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：3A

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描述: 这款Uni单向保护器件，内置四个高效保护通道，工作电压上限为5V，每通道可承受3A瞬时大电流冲击，加之仅0.4pF的低电容特性，极大降低了信号干扰，是保护多线路电子设备免受电压尖峰影响的优选方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HPJE5UFN10A-AU
商品编号: C25503745
商品封装: DFN2510-10L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.025333克(g)

商品参数

商品概述

HPJE5UFN10A - AU 是一款 4 通道超低电容轨钳位 ESD 保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负 ESD 电流引导至正或负轨。在正负电源轨之间的阵列中集成了一个齐纳二极管。在典型应用中，负轨引脚（指定为 GND）与系统接地相连。正 ESD 电流通过 ESD 二极管和齐纳二极管流向接地，正 ESD 电压被钳位到齐纳电压。封装为 DFN2510 - 10L。

商品特性

4 通道 ESD 保护；
提供符合 IEC61000 - 4 - 2 4 级标准的 ESD 保护：
- ±25kV 空气放电；
- ±20kV 接触放电；
超低电容：典型值 0.4pF；
低钳位电压；
低工作电压；
固态硅技术；
保护四条 I/O 线路；
符合 RoHS 标准且无卤。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	15V
	峰值脉冲电流(Ipp)	3A
	击穿电压(VBR)	7.5V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	四路
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.4pF；0.2pF