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M34E02-FDW6TP
用于双倍数据速率（DDR1、DDR2和DDR3）DRAM模块的2 Kbit串行存在检测（SPD）EEPROM
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- 描述
- DRAM模块的2 Kbit I2C总线串行EEPROM和SPD（DDR2/DDR3）
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M34E02-FDW6TP
- 商品编号
- C283450
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 2Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 400kHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 软件写保护功能；噪声抑制功能；硬件写保护功能；内置上电复位(POR) | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 3mA | |
| 待机电流 | 3uA | |
| 读取访问时间(tA) | 900ns |
商品概述
M34E02-F是一款2-Kbit I²C兼容EEPROM（电可擦可编程存储器），组织为256×8位。它可在1.7V至5.5V的电源电压下访问，在-40℃至+85℃的环境温度范围内以最高400kHz的时钟频率运行。该器件能够永久锁定其前半部分（00h至7Fh）的数据，专为带有串行存在检测（SPD）的DRAM DIMM（双列直插内存模块）设计，可将DRAM模块的DDR1、DDR2或DDR3配置信息（如访问速度、大小和组织方式）保存在内存前半部分并进行写保护。内存前半部分可通过两种软件写保护机制（永久或可重置）进行保护，整个内存区域可通过WC输入（例如将该输入连接到VCC）进行写保护。它采用双线串行接口（双向数据线和时钟线），内置符合I²C总线定义的4位设备类型识别码（1010用于内存访问，0110用于保护），并结合三个芯片使能输入（E2、E1、E0）。该器件在I²C协议中作为从设备，所有内存操作由串行时钟同步。
商品特性
- 适用于DDR1、DDR2和DDR3串行存在检测的2-Kbit EEPROM
- 与M34C02向后兼容
- 对低128字节提供永久和可逆的软件数据保护
- 支持100kHz和400kHz I²C总线串行接口
- 单电源电压：1.7V至5.5V
- 支持字节和页写入（最多16字节）
- 自定时写入周期
- 总线输入带有施密特触发器和噪声滤波器，具备噪声过滤功能
- 增强型ESD/闩锁保护
- 擦除/写入周期超过100万次
- 数据保留超过40年
- 提供ECOPACK®（符合RoHS标准）和ECOPACK2®（符合RoHS标准且无卤素）封装
- 封装类型：UFDFPN8（2×3mm）、TSSOP8（4.4×3mm）
应用领域
- 用于带有串行存在检测（SPD）的DDR1、DDR2和DDR3 DRAM DIMM（双列直插内存模块），存储模块的访问速度、大小和组织方式等配置信息