M93C56-WMN6P

2 Kbit MICROWIRETM串行访问EEPROM

描述: M93C56是一款2 Kbit（256 x 8）的MICROWIRETM串行访问EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，具有2 MHz的时钟频率，超过4百万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M93C56-WMN6P
商品编号: C283452
商品封装: SO-8-150mil
包装方式: 管装
商品毛重: 0.194克(g)

商品参数

商品概述

M93C46（1Kbit）、M93C56（2Kbit）、M93C66（4Kbit）、M93C76（8Kbit）和M93C86（16Kbit）是通过MICROWIRE™总线协议访问的电可擦可编程存储器（EEPROM）设备。内存阵列可配置为字节（x8b）或字（x16b）。M93Cx6-W设备的工作电压范围为2.5V至5.5V，M93Cx6-R设备的工作电压范围为1.8V至5.5V。所有这些设备的时钟频率为2MHz（或更低），环境温度范围为-40℃至+85℃。

商品特性

行业标准MICROWIRE™总线
单电源电压：M93Cx6-W为2.5V至5.5V，M93Cx6-R为1.8V至5.5V
双组织方式：按字（x16）或字节（x8）
支持字节、字或整个内存的编程指令
带自动擦除的自定时编程周期：5ms
编程期间的READY/BUSY信号
2MHz时钟速率
顺序读取操作
增强的ESD/闩锁行为
超过400万次写入周期
超过200年数据保留
ECOPACK2（RoHS合规）和无卤素封装：DFN8、SO8N、TSSOP8

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	2Kbit
	时钟频率(fc)	2MHz
	写周期时间(Tw)	5ms
	数据保留 - TDR(年)	200年
	写周期寿命	400万次

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；噪声抑制功能
	工作电压	2.5V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	2mA
	待机电流	3uA
	读取访问时间(tA)	-