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M93C66-WMN6P

MICROWIRE串行访问EEPROM

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描述
M93C46(1 Kbit)、M93C56(2 Kbit)、M93C66(4 Kbit)、M93C76(8 Kbit)和M93C86(16 Kbit)是通过MICROWIRE™总线协议访问的电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。存储阵列可配置为字节(x8b)或字(x16b)。M93Cx6 - W器件的工作电源电压范围为2.5 V至5.5 V,M93Cx6.R器件的工作电源电压范围为1.8 V至5.5 V
商品型号
M93C66-WMN6P
商品编号
C283454
商品封装
SO-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.165克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型SPI
存储容量4Kbit
时钟频率(fc)2MHz
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)200年
写周期寿命400万次
属性参数值
功能特性内置上电复位(POR);噪声抑制功能
工作电压2.5V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃
工作电流2mA
待机电流3uA
读取访问时间(tA)-

商品概述

M93C46(1Kbit)、M93C56(2Kbit)、M93C66(4Kbit)、M93C76(8Kbit)和M93C86(16Kbit)是通过MICROWIRE™总线协议访问的电可擦可编程存储器(EEPROM)设备。内存阵列可配置为字节(x8b)或字(x16b)。M93Cx6-W设备的工作电压范围为2.5V至5.5V,M93Cx6-R设备的工作电压范围为1.8V至5.5V。所有这些设备的时钟频率为2MHz(或更低),环境温度范围为-40℃至+85℃。

商品特性

  • 行业标准MICROWIRE™总线
  • 单电源电压:M93Cx6-W为2.5V至5.5V,M93Cx6-R为1.8V至5.5V
  • 双组织方式:按字(x16)或字节(x8)
  • 支持字节、字或整个内存的编程指令
  • 带自动擦除的自定时编程周期:5ms
  • 编程期间的READY/BUSY信号
  • 2MHz时钟速率
  • 顺序读取操作
  • 增强的ESD/闩锁行为
  • 超过400万次写入周期
  • 超过200年数据保留
  • ECOPACK2(RoHS合规)和无卤素封装:DFN8、SO8N、TSSOP8

数据手册PDF