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CMT10P12R
16V P沟道MOSFET
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- 描述
- 16V SOT23封装P-MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMT10P12R
- 商品编号
- C22446638
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043319克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 926pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
该器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求严苛的高效转换器。 TO - 220FP宽爬电距离封装为功率MOSFET提供了增强的表面绝缘性能，可防止在污染环境中可能发生的电弧放电导致的故障。
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
- 大电流负载应用
- 负载开关
- 快速充电