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CMT30P30K
30V P沟道MOSFET
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- 描述
- 30V PDFN3*3封装P-MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMT30P30K
- 商品编号
- C22446645
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.091438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
WSD28N10DN33是一款高性能N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDS(on) 和栅极电荷。 WSD28N10DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 100%经过UIS和Rg测试
- 可靠耐用
- 提供无铅和绿色环保器件
应用领域
- DC/DC转换器电源管理-POE保护开关