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CMT2050K
20V N沟道MOSFET
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- 描述
- 20V PDFN3*3封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMT2050K
- 商品编号
- C22446649
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101343克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
- 沟槽低压MOSFET技术
- 快速开关
- 用于低导通电阻(Rds(on))的高密度单元设计
应用领域
- 负载开关
- 大电流负载应用
- 电源管理