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CMT2001EY
20V N沟道MOSFET
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- 描述
- 20V DFN1006封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMT2001EY
- 商品编号
- C22446648
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 18pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 沟槽低压MOSFET技术
- 快速开关
- 采用高密度单元设计，实现低导通电阻Rds(on)
应用领域
- 负载开关
- 大电流负载应用
- 电池管理