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CMT4435S
30V P沟道MOSFET
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- 描述
- 40V SOP8封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMT4435S
- 商品编号
- C22446647
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18737克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
- 大电流负载应用
- 负载开关
- 快速充电