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CMT10P12V
P沟道MOSFET
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- 描述
- 16V DFN2*2封装P-MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMT10P12V
- 商品编号
- C22446640
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 925pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
WSD1216BDN22是高性能沟槽式P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 WSD1216BDN22符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步小功率开关
- 网络DC-DC电源系统
- 负载开关