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CMT20P60K
20V P沟道MOSFET
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- 描述
- 20V PDFN3*3封装P-MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMT20P60K
- 商品编号
- C22446641
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.402482克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.947nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 396pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷（QG）
- 具备雪崩额定值
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- 激光驱动器
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制