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RN1501(TE85L,F)
硅NPN外延型晶体管，内置偏置电阻，适用于开关、逆变器、接口和驱动电路
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN1501(TE85L,F)
- 商品编号
- C22444967
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2V@5mA,0.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV@5mA,250uA | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 包含两款采用 SMV（超微型，5 引脚）封装的器件
- 内置偏置电阻
- 简化了电路设计
- 减少了元器件数量和制造工序，实现了器件的微型化
- 提供多种电阻值，以适应各种电路设计需求
- 与 RN2501 至 RN2506 相互补
应用领域
- 切换电路
- 逆变电路
- 接口电路
- 驱动电路