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HCESD1006UC5VU

单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

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描述: 这款单向ESD保护二极管，专为单通道应用设计，可在5伏特工作电压下稳定运作，具备4安培峰值电流处理能力，为电路板提供强大的静电防护。其低至0.6皮法的电容值，确保高速信号无延迟通过，是保护敏感电子组件和提升系统静电防护性能的理想器件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HCESD1006UC5VU
商品编号: C22440190
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.007014克(g)

商品参数

商品概述

HCESD1006UC5VU可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条单向线路。封装为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±20kV（接触）
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±20kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50 ns）
峰值功耗：60W（8/20μs）
工作电压：5V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条数据、控制线
低电容：0.4pF（典型值）
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	15V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	峰值脉冲功率(Ppp)	60W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压(VBR)	6V
	反向电流(Ir)	100nA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.6pF