温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJQ140ER-T1_GE3
N沟道 40V 413A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试。 厚度仅1.6mm的封装。 极低的热阻
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ140ER-T1_GE3
- 商品编号
- C22414665
- 商品封装
- PowerPAK-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 413A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.57mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 192nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET® 第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 1.6 mm薄型封装
- 极低热阻
- 符合RoHS标准
- 无卤