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SIR4409DP-T1-RE3
P沟道 40V 60.6A
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- 描述
- 特性：新一代P沟道功率MOSFET。超低RDS×Qg品质因数。100%进行Rg和UIS测试。应用：电池和电路保护。负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR4409DP-T1-RE3
- 商品编号
- C22414818
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 345pF |
商品特性
- 新一代P沟道功率MOSFET
- 超低RDS × Qg品质因数乘积
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电池和电路保护-负载开关-电机驱动控制
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