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SQS181ELNW-T1_GE3
汽车级P沟道80V（D-S）、175°C CMOS场效应晶体管
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- 描述
- 特性：沟道功率 MOSFET。AEC-Q101 认证。100% Rg 和 UIS 测试。材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS181ELNW-T1_GE3
- 商品编号
- C22414861
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SLW
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.771nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.193nF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 通用汽车应用。