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SQ2310CES-T1_GE3
汽车级N沟道20 V（D-S）、175 °C MOSFET
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2310CES-T1_GE3
- 商品编号
- C22414671
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.0216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 426pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 106pF |
商品特性
- N沟道、逻辑电平
- 极低导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 100% 雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤
- 针对高性能开关电源（SMPS）优化，如同步整流