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SQ2310CES-T1_GE3
汽车级N沟道20 V（D-S）、175 °C MOSFET
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2310CES-T1_GE3
- 商品编号
- C22414671
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.0216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 426pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 106pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
- SIR4409DP-T1-RE3
- SQS181ELNW-T1_GE3
- MMU01020C3323FB300
- TLHG6420-ASZ
- ISSI30R12HXUMA1
- CCF6010K0FKE36
- TPS1HTC30AQPWPRQ1
- THJP0603AST1
- MMU01020C3009FB300
- ACCTRITOB308-T005
- SIC431AEVB-A
- MMA02040E5100BB100
- S471K25Y5PN6TJ5R
- CC0201KRX5R7BB224
- 565R30GASS20
- MMU01020C2409FB300
- VEMD2704
- 21A11B10
- 534-1-1-103
- THJP0805AST1
- VR37000004704JR500