MS10N65F

MS10N65F

描述

此款N沟道MOSFET采用TO-220F封装，漏源电压(Vdss)：650V，漏极电流(Id)：10A具有低导通电阻和快速开关功能，漏源导通电阻 (RDS(on))：0.95Ω@ VGS=10V，可适用于开关电源、电机驱动、LED照明、电池管理系统、消费类电子产品等，满足你的电路设计需求

品牌名称

MSKSEMI(美森科)

商品型号

MS10N65F

商品编号

C22399247

商品封装

TO-220F

包装方式

管装

商品毛重

2.7974克(g)