温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK3018T106(MS)
耐压:30V 电流:300mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款N沟道场效应晶体管采用SOT-323封装，具备漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：300mA，RDS:10V@0.3A=1R,适用于电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平转换、信号放大以及需要高效能和空间节省的电路设计中。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2SK3018T106(MS)
- 商品编号
- C22399559
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
这款N沟道SGT MOSFET专为实现极低导通电阻（RDSON）而设计，同时保持卓越的开关性能，尤其适用于高效电源管理应用。
商品特性
- 30V、300mA,VGS = 10V 时,RDS(ON) = 1Ω
- 改善了 dv/dt 能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 手持仪器