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MS30N06DF

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    描述
    此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN3x3,具备漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):30A,RDS:10V@10A=28MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理
    品牌名称
    MSKSEMI(美森科)
    商品型号
    MS30N06DF
    商品编号
    C22399563
    商品封装
    DFN-8L(3x3)
    包装方式
    编带
    商品毛重
    0.089克(g)

    商品参数

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