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MS30N06DF
耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN3x3，具备漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，RDS:10V@10A=28MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS30N06DF
- 商品编号
- C22399563
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.18nF |
商品特性
- 60V、30A, RDS(ON)=28mΩ(VGS=10V时)
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 有绿色环保器件可选
应用领域
-电机驱动-电动工具-LED照明
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