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MS30N06DF

耐压:60V 电流:30A

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描述
此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN3x3，具备漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，RDS:10V@10A=28MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
MS30N06DF
商品编号
C22399563
商品封装
DFN3X3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.089克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V
耗散功率(Pd)31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)16.4nC@10V
反向传输电容(Crss)52pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)1.18nF

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