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2SK3018(MS)
耐压:30V 电流:300mA
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- 描述
- 此款N沟道场效应晶体管采用SOT-23封装，具备漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：300mA，RDS:10V@0.3A=1R,适用于电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平转换、信号放大以及需要高效能和强劲的性能满足你的电路设计需求
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2SK3018(MS)
- 商品编号
- C22399560
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 313mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品特性
- 30V、300mA,VGS = 10V时RDS(ON) = 1Ω
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可选
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 电池保护
- 手持仪器