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SI2302-MS
耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流为2.8A。具有低导通电阻和快速开关功能，广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中，实现高效、稳定的功率转换与控制，是现代电子产品理想的节能组件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2302-MS
- 商品编号
- C22399255
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 64pF |
商品概述
这款N沟道SGT MOSFET专为实现极低的导通电阻（RDSON）而设计，同时保持卓越的开关性能，尤其适用于高效电源管理应用。
商品特性
- 20V、2.8A,VGS = 4.5V 时 RDS(ON) = 40mΩ
- 改善了 dv/dt 能力
- 快速开关
- 有环保器件可选
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 手持仪器