MS16N65S

MS16N65S

描述

此款N沟道MOSFET采用TO-263封装，漏源电压(Vdss)：650V，漏极电流(Id)：16A，具有低导通电阻和快速开关功能，漏源导通电阻(RDS(on))：0.55Ω @ VGS=10V广泛应用于开关电源、马达驱动、逆变器、电池管理系统以及其他高压大电流开关应用，例如太阳能逆变系统、电源适配器、充电桩等

品牌名称

MSKSEMI(美森科)

商品型号

MS16N65S

商品编号

C22399249

商品封装

TO-263

包装方式

编带

商品毛重

2.106克(g)