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MS16N65S
N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 描述
- 此款N沟道MOSFET采用TO-263封装，漏源电压(Vdss)：650V，漏极电流(Id)：16A，具有低导通电阻和快速开关功能，漏源导通电阻(RDS(on))：0.55Ω @ VGS=10V广泛应用于开关电源、马达驱动、逆变器、电池管理系统以及其他高压大电流开关应用，例如太阳能逆变系统、电源适配器、充电桩等
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS16N65S
- 商品编号
- C22399249
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压VDS = 650V
- 漏极电流ID = 16A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 0.55Ω
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源