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MS10N65F
N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 此款N沟道MOSFET采用TO-220F封装，漏源电压(Vdss)：650V，漏极电流(Id)：10A具有低导通电阻和快速开关功能，漏源导通电阻 (RDS(on))：0.95Ω@ VGS=10V，可适用于开关电源、电机驱动、LED照明、电池管理系统、消费类电子产品等，满足你的电路设计需求
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS10N65F
- 商品编号
- C22399247
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7974克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 136pF |
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