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IRFP450
1个N沟道 耐压:500V 电流:16A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.32Ω@10V,6.5A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRFP450
- 商品编号
- C22389972
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.876克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
IRFP450采用先进的技术和设计，可提供出色的漏源导通电阻（R_DS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 500 V，栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 16 A时，漏源导通电阻（RDSon） < 0.38 Ω（典型值：0.32 mΩ）
- 低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 适配器和充电器