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MP20N40
N沟道 20A 400V
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.22Ω@10V,4A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MP20N40
- 商品编号
- C22389981
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.792克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
MP20N40是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,可降低传导损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关模式电源、高速开关和通用应用。
商品特性
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 提高dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源
- 电子镇流器