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MPG100N07P
MPG100N07P 70V 100A
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：70V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,45A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPG100N07P
- 商品编号
- C22389982
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8445克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品概述
MPG100N07P采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 70 V，漏极电流（ID） = 100 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 7.5 mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 高密度单元设计，实现超低漏源导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源