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MDT40P10D

P沟道 -100V -40A

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描述: 类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-100V 连续漏极电流(Id)：-40A 功率(Pd)：180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@-10V,-15A
品牌名称: minos(迈诺斯)
商品型号: MDT40P10D
商品编号: C22390009
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.435367克(g)

商品参数

MPT023N10-T是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这是适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用的理想器件。