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MPT012N08-T实物图
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MPT012N08-T

N沟道 360A 80V 1.1m?

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描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):360A 功率(Pd):462.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1mΩ@10V,50A
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
MPT012N08-T
商品编号
C22390007
商品封装
TOLL-8L​
包装方式
编带
商品毛重
1.131333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)413A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)462.9W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)230nC@10V
输入电容(Ciss)12.6nF
反向传输电容(Crss)500pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)3.6nF

商品概述

MDT40P10D采用先进技术和设计,提供出色的导通电阻RDS(ON),可广泛应用于各种领域。

商品特性

  • 漏源电压VDS = -100V,漏极电流ID = -40A
  • 低导通电阻
  • 低反向传输电容
  • 100%单脉冲雪崩能量测试

应用领域

  • 功率开关应用
  • 适配器和充电器

数据手册PDF