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G1002-B
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G1002-B
- 商品编号
- C22362810
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 90V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 535pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
G01N20LE-B采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS 190V
- ID（VGS = 10 V时）1.7A
- RDS(ON)（VGS = 10V时）< 0.70Ω
- RDS(ON)（VGS = 4.5V时）< 0.75Ω
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- ESD（HBM）>5.0KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器